三星破例：英伟达定制HBM的基片改由台积电3纳米代工

三星破例：英伟达定制HBM的基片改由台积电3纳米代工

首尔经济日报周日独家

10月18日，韩国《首尔经济日报》援引业内消息人士报道，三星电子将用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基片（base die）。报道称，这将是三星首次在HBM制造环节与这家台湾代工厂合作；双方此前交集只有四年前一次封装兼容性配合，为让三星HBM顺利接到GPU上。路透社当日转述，《经济时报》、Business Standard、Firstpost 等随后跟进。

基片是整摞内存的地基

HBM由多层DRAM核心裸片垂直堆叠而成，最底下那片逻辑基片负责与GPU之间的信号收发，直接决定传输速度，也决定产品竞争力。英伟达把这代产品命名为NVHBM、今年8月发布：它把原本放在GPU计算裸片上的定制内存控制器搬进基片，物理层电路比标准HBM缩小60%，换来最高30%的带宽提升、15%的功耗下降，并为计算裸片腾出最多25%的面积。

英伟达要三家统一工艺

报道说，英伟达要求三星、SK海力士、美光三家统一按台积电3纳米做基片，核心裸片统一用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）。理由很直白：各家做法不同，同一款内存性能难以一致，英伟达还得逐家单独验证。统一之后，一份设计、一条工艺线，验证工作量大幅压缩。

三星让出的是高价值一块

三星长期坚持"交钥匙"模式：核心裸片和基片都在自家产线完成。量产的HBM4与验证中的HBM4E，基片用的都是三星代工的4纳米。接受英伟达的要求，等于在最重要的客户项目上把高价值逻辑芯片交给竞争对手。业界估计台积电3纳米良率超90%、三星2纳米约60%——两者工艺不同、设计也可能不同，不能直接对比；TechTimes 引述的估算则把三星SF2放在50%至60%区间。

台积电正给3纳米加产能

台积电10月15日法说会给出底气：第三季3纳米占晶圆收入33%、高性能计算占营收68%；台南Fab 18将新增两条3纳米产线，分别在2027年上半年、2028年上半年量产；亚利桑那二厂3纳米定在2027年第三季，熊本二厂定在2028年。三家存储厂同时来抢3纳米基片产能，这些新增产线就是承接池。

三星留了2纳米的后手

《首尔经济日报》后续报道称，若英伟达需求超出台积电可供产能，三星自家代工将以2纳米工艺做备份。三星同时表示，标准HBM和供给AMD等其他客户的定制产品仍走自产路线。一位业内人士称，台积电3纳米产线还要兼顾高性能计算和手机芯片，分给存储厂的量可能触顶。

份额表上三星仍是第二

按Counterpoint数据，2026年第二季HBM收入份额：SK海力士50%、三星33%、美光18%。SK海力士早已用台积电12纳米做主流HBM4基片，并向3纳米升级；美光的NVHBM模块计划2027年量产。三星若固守自家2纳米确有丢单风险，这被普遍视为它让步的现实原因。

时间表指向2028年

英伟达计划在2028年的Feynman平台上首次大规模部署NVHBM，美光2027年的量产节奏与之吻合。三星今年2月量产HBM4，良率从不足60%爬升到约80%，还为谷歌、Meta、英伟达定制项目增派250名工程师。

官方沉默，股价先跌

截至发稿，英伟达、三星、SK海力士、美光、台积电均未证实。消息出炉前一周（10月12日至16日），三星电子股价跌17.8%至21.55万韩元、SK海力士跌24.3%至127.2万韩元，创2008年金融危机以来最大周跌幅——主因是AI支出疑虑引发的半导体抛售，与这则报道无关。