美光四連跌：長鑫4F²攪動全球存儲格局

美光四連跌：長鑫4F²攪動全球存儲格局

四連跌破千美元關口

10月13日盤中，美光（MU）股價報937.58美元，跌5.18%，連續第四個交易日走低；12日收於989.04美元，跌3.9%，爲9月中旬以來首次收在1000美元下方。另有行情統計顯示股價一度觸及945.03美元，跌4.45%，兩個交易日蒸發約500億美元市值，較6月約1255美元的歷史高點回撤逾兩成。導火索是週末從中國傳來的一則技術公告。

長鑫年底推服務器內存

10月10日，長鑫存儲總裁曹堪宇在上海第四屆集成芯片和芯粒大會上宣佈，公司4F² DRAM架構研發取得關鍵進展，預計今年年底推出融合4F²架構與混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM產品。南華早報援引公司聲明稱，產品直指服務器內存市場。

從6F²到4F²密度躍升

曹堪宇介紹，行業主流DRAM採用6F²單元架構，4F²意味着每個存儲單元僅佔4倍最小特徵尺寸的平方，同面積可容納更多單元。核心創新是自研VSG垂直包圍溝道晶體管，豎立佈局強化柵控、改善漏電與短溝道效應，再以混合鍵合把存儲陣列與外圍邏輯分片製造後整合。中文財經報道稱該架構可將存儲密度提升約30%至50%。

首發服務器內存直面壁壘

長鑫人士稱，DDR5 RDIMM需支撐服務器7×24小時不間斷運行，穩定性與兼容性要求極高，把它作爲4F²首個落地產品，就是直面服務器內存領域極高的技術與工程壁壘。報道顯示長鑫自成立即佈局4F²專利，公開專利族超300件；韓媒認爲此舉把競爭從低功耗內存直接推向服務器DRAM正面戰場。

韓美存儲股集體重挫

拋售迅速外溢：13日韓國三星電子與SK海力士股價均跌逾7%，SK海力士盤中一度跌超10%，KOSPI跌逾5%，日本鎧俠跌約13%；美股方面閃迪週一跌5.9%、週二盤前再跌約5%，希捷與西數同步下挫，美光週一紐約收跌約4%、盤前續跌約5%。同期標普500僅跌0.12%，顯示這是針對存儲板塊的定向重定價。

份額十年首現結構性鬆動

Counterpoint Research數據顯示，長鑫今年二季度全球DRAM收入份額升至10%，一年前僅4%，首次進入兩位數並居第四；TrendForce口徑下三星39.4%、SK海力士24.9%、美光23.3%，長鑫約9.5%。三大廠產能向HBM傾斜留下的常規DRAM缺口正被長鑫填補，7月上市首日股價暴漲466%、市值逼近5000億美元的長鑫，已是中國市值最高的上市公司。

美光六成收入壓在數據中心

按美光8-K文件，上財季核心數據中心與雲內存業務合計貢獻342.8億美元、約佔營收63%，DRAM約佔銷售73%。長鑫首刀砍向的服務器RDIMM，正是這塊高毛利業務的主力產品。Citi預計DRAM價格增速將放緩四個季度，2027年二季度見頂後轉爲負增長，而長鑫新增產能恰好對準降溫中的市場。

良率與認證仍是未解之謎

謹慎聲音同樣存在。Morningstar分析師表示，長鑫4F²產品從發佈到實現可量產良率仍有明顯時間差；有報道援引稱其DDR5良率約50%，低於商用通常所需的80%至90%。另有分析師列出七條理由，指長鑫尚未公佈完整規格、經驗證良率、客戶認證結果與量產出貨承諾，且該產品屬常規服務器DRAM而非HBM。長鑫也未披露規格細節與確切發佈日期。

分析師目標價仍高高在上

華爾街並未轉向：10月13日Rosenblatt重申買入並給出1900美元目標價；D.A. Davidson的Gil Luria早在10月7日就把目標從2000美元上調至3000美元，爲華爾街最高；46位分析師平均目標價約1407.88美元，含41個買入評級。多頭理由是美光計劃在2027財年上半年投入約250億美元資本開支、2026日曆年HBM供應已售罄、約一半收入鎖定多年期協議，並持有683億美元淨現金。

年底量產節點定成敗

接下來的觀察點很明確：長鑫能否在年底真正出貨DDR5 RDIMM，密度、良率與客戶認證數據何時公開；競爭對手的4F²時間表同樣關鍵——SK海力士2025年已公佈路線圖，三星計劃2028年量產亞10納米DRAM。若長鑫良率兌現，存儲利潤池將重新分配；若良率不及預期，本輪暴跌或被視作情緒錯殺。